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王建禄: 局域极化场调控的新型光电器件
发布日期:2019-11-06  字号:   【打印

报告时间:2019年11月19日(星期二)15:00-16:00

报告地点:翡翠湖校区科教楼第五会议室

  王建禄 研究员

工作单位中国科学院上海技术物理研究所

举办单位:电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介

王建禄,男,汉族,1981年出生,中国科学院上海技术物理研究所研究员,国家优秀青年基金获得者、军科委XX主题专家组成员。先后获得上海市五四青年奖章、中科院青年创新促进会会员及中科院“拔尖青年人才”等奖项及人才项目资助。担任“中法先进材料会议”国际研讨会组委会委员,19th international conference on II-VI Compounds and Related Materials-Organization Committee member,Journal of Semiconductor编委,Chinese Physics B特邀编委;任Nature Electronics、 Nature Communications,Adv. Mater.等20多种国际期刊论文评审人。研究方向为新型半导体物理、光电子器件及应用。先后主持国家自然科学基金重点、优青、面上及中科院重点等项目10余项,已在相关领域期刊发表SCI论文70余篇,包括Nat. Commun.、Adv. Mater., Nano Lett.,等SCI刊物,相关结果被引用1500多次,已获得授权中国发明专利10项,在相关领域国际会议做邀请报告20余次。

报告简介

极低低暗电流、强内建电场等突出优点,是光电探测器件的理想探测模式。低维材料很难实现掺杂,常规异质结都是采用堆叠的方式实现,这种方式会引入界面态,直接影响器件的结区电场空间分布、光电响应速度、暗电流。利用极强的铁电极化场来实现低维半导体费米能级的调控,形成同质面内或者垂直异质结光电探测器。由于没有引入界面缺陷态和少子势垒,这种低维半导体同/异质结光电器件可大幅抑制暗电流、同时能保持探测器的高响应速度和响应率,实现高灵敏红外光电探测。低维材料同/异质结构可为光电器件的设计拓展思路,半导体器件的设计与制造从过去的“杂质工程”渡越到“界面、能带工程”,实现了光电特性可“自由裁量”。

(鲁迎春/文)  
编辑:徐小红
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